Моделирование 3D наносхемотехники

Моделирование 3D наносхемотехники

Печатное/электронное издание книги
Библиографическое описание книги
Автор, составитель, редактор: Трубочкина Н. К.
Тематика: нанотехнологии
Тип издания: печатное издание
Первый год издания: 2012
Формат: 70×100/16 (в пер.)
Страниц: 499
ISBN: 978-5-9963-0291-8
УДК: 681.3
ББК: 32.844
Вид издания: учебное издание

В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10–20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник.

Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети».

Фрагмент1

1 - Навигация в электронном издании работает частично в зависимости от размера фрагмента.


Назад в раздел
  
Как купить :: Контакты :: Вакансии :: Файлы издательства :: Карта сайта :: Наши партнёры :: Наши баннеры
Russian version English version