Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, ч. 2

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, ч. 2

Библиографическое описание книги
Автор, составитель, редактор: Королев М. А. / Крупкина Т. Ю. / Путря М. Г. / Шевяков В. И. / Чаплыгин Ю. А.
Тематика: инженерные дисциплины
Тип издания: печатное издание
Первый год издания: 2009
Тираж: 1000
Формат: 60x90/16 (в пер.)
Страниц: 422
ISBN: 978-5-94774-585-6
ISBN доп: 978-5-94774-583-2
УДК: 621.382.049.77.002(07)
ББК: 32.852
Гриф: УМО
Номер тома: 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования
Вид издания: учебное издание

Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.

Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.

Другие тома: 

Титул

Оглавление

Фрагмент1

1 - Навигация в электронном издании работает частично в зависимости от размера фрагмента.


Назад в раздел
  
Как купить :: Контакты :: Вакансии :: Файлы издательства :: Карта сайта :: Наши партнёры :: Наши баннеры
Russian version English version