Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (ЭИ)

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (ЭИ)

Купить электронную книгу в интернет-магазинах:
litres.ru
rucont.ru

Библиографическое описание книги
Автор, составитель, редактор: Таперо К. И. / Улимов В. Н. / Членов А. М.
Тематика: инженерные дисциплины
Тип издания: электронное издание
Первый год издания: 2017
Издание: 3-е изд. (эл.)
Формат: 125х200 мм
Страниц: 307
ISBN: 978-5-00101-445-4
УДК: 621.38
ББК: 32.844.1+32.844.02
Вид издания: учебное издание

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно из космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействия ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под воздействием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO$_2$ и их влияние на характеристики биполярных приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП- и КМОП-технологиям, и деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Фрагмент1

1 - Навигация в электронном издании работает частично в зависимости от размера фрагмента.

Печатное издание


Назад в раздел
  
Как купить :: Контакты :: Вакансии :: Файлы издательства :: Карта сайта :: Наши партнёры :: Наши баннеры
Russian version English version