Книга содержит семь аналитических обзоров ведущих ученых Европы и США. Материал дает представление о важных изменениях в физике сегнетоэлектриков за последние 20 лет. Рассматриваются концептуальные достижения теории сегнетоэлектричества, новые технологии получения тонких эпитаксиальных пленок оксидных сегнетоэлектриков и сверхрешеток и методы их исследования, а также результаты: теоретических и экспериментальных исследований размерных эффектов в тонких и сверхтонких сегнетоэлектрических пленках, а также сегнетоэлектрических наночастицах и нанотрубках; изучения доменных стенок в тонких сегнетоэлектрических пленках; исследований мультиферроиков. Полученные данные позволяют применять сегнетоэлектрики в электронике и технике, в том числе для создания сегнетоэлектрических энергонезависимых запоминающих устройств (FRAM) и диэлектрических слоев в интегральных схемах.
Для научных работников, аспирантов и студентов.
Издание осуществлено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований по проекту № 09-02-07041
1 - Навигация в электронном издании работает частично в зависимости от размера фрагмента.
|