Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Тематика: инженерные дисциплины
Тип издания: печатное издание
Первый год издания: 2012
Формат: 60х90/16 (в пер.)
Страниц: 304
ISBN: 978-5-9963-0633-6
УДК: 621.38
ББК: 32.844.1+32.844.02
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
1 - Навигация в электронном издании работает частично в зависимости от размера фрагмента.
Назад в раздел
