В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно из космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействия ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под воздействием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO$_2$ и их влияние на характеристики биполярных приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП- и КМОП-технологиям, и деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
1 - Навигация в электронном издании работает частично в зависимости от размера фрагмента.
|
![]() ![]() |